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| Artikelnummer | GL4100E0000F |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Art | Infrared (IR) |
| Aktuell - DC Vorwärts (If) (Max) | 50mA |
| Strahlungsintensität (Ie) Min @ If | - |
| Wellenlänge | 950nm |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Blickwinkel | 180° |
| Orientierung | Side View |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | Radial |
Hersteller: Sharp Microelectronics
Beschreibung: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
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