Artikelnummer | IMH6AT108 |
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Teilstatus | Not For New Designs |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 47k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
Lieferantengerätepaket | SMT6 |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Auf Lager: 15000
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Auf Lager: 0
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Auf Lager: 6000
Hersteller: Rohm Semiconductor
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