Artikelnummer | 2SK2731T146 |
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Teilstatus | Not For New Designs |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 200mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 100mA, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SMT3 |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH S-MINI FET
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH S-MINI FET
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH SOT23
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH SOT23
Auf Lager: 21000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH SOT23
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