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| Artikelnummer | UPA2816T1S-E2-AT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 10V |
| Vgs (Max) | +20V, -25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 17A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
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