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| Artikelnummer | UPA2738GR-E1-AT |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 10A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
| Paket / Fall | 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
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