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| Artikelnummer | RJK6015DPK-00#T0 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 10.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
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