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| Artikelnummer | RJK5013DPP-E0#T2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 30W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 465 mOhm @ 7A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14A TO220
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
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