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| Artikelnummer | RJK0328DPB-01#J0 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6380pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 65W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
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