Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln SMMBT5551LT1G

ON Semiconductor SMMBT5551LT1G

Artikelnummer
SMMBT5551LT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Gesamt:0.04043/pcs Unit Price:
0.04043/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer SMMBT5551LT1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 160V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Leistung max 225mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
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