Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln SBSP52T1G

ON Semiconductor SBSP52T1G

Artikelnummer
SBSP52T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
ArtikelnummerSBSP52T1G
TeilstatusActive
Transistor-TypNPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.3V @ 500µA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce2000 @ 500mA, 10V
Leistung max800mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSOT-223 (TO-261)
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