Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln SBSP52T1G

ON Semiconductor SBSP52T1G

Artikelnummer
SBSP52T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer SBSP52T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.3V @ 500µA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA, 10V
Leistung max 800mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223 (TO-261)
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