Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln NVGS3441T1G

ON Semiconductor NVGS3441T1G

Artikelnummer
NVGS3441T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerNVGS3441T1G
TeilstatusActive
FET TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C1.65A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)-
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 5V
Vgs (Max)-
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-TSOP
Paket / FallSOT-23-6
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