Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln NTP30N06L

ON Semiconductor NTP30N06L

Artikelnummer
NTP30N06L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer NTP30N06L
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 88.2W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 15A, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
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