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| Artikelnummer | NTMS5P02R2G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.95A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 16V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 790mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Auf Lager: 2500
