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| Artikelnummer | NTMD2C02R2SG |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.2A, 3.4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Auf Lager: 2500
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Auf Lager: 7500
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC
Auf Lager: 0
