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| Artikelnummer | NTLJS2103PTAG |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1157pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-WDFN (2x2) |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
Auf Lager: 0
