Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln NTHS4111PT1G

ON Semiconductor NTHS4111PT1G

Artikelnummer
NTHS4111PT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer NTHS4111PT1G
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 24V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 4.4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket ChipFET™
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
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