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| Artikelnummer | NTD60N02RT4G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta), 32A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.25W (Ta), 58W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
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