Artikelnummer | NSVMUN5213DW1T3G |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 47k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PNP 50V BIPOLAR SC59-3
Auf Lager: 105000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
Auf Lager: 102000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3
Auf Lager: 40000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Auf Lager: 102000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 50V SOT363-6
Auf Lager: 0