Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung NSTB1002DXV5T1G

ON Semiconductor NSTB1002DXV5T1G

Artikelnummer
NSTB1002DXV5T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer NSTB1002DXV5T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA, 200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V, 40V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 47k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 500mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-553
Lieferantengerätepaket SOT-553
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