Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NSS1C301ET4G

ON Semiconductor NSS1C301ET4G

Artikelnummer
NSS1C301ET4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Gesamt:0.12941/pcs Unit Price:
0.12941/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer NSS1C301ET4G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 2V
Leistung max 2.1W
Frequenz - Übergang 120MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK
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