Artikelnummer | NSBC114YPDP6T5G |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 339mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-963 |
Lieferantengerätepaket | SOT-963 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Auf Lager: 4000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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Hersteller: ON Semiconductor
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