Artikelnummer | NP1100SBT3G |
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Teilstatus | Obsolete |
Spannung - Durchbruch | 130V |
Spannung - Aus Zustand | 90V |
Spannung - Ein Zustand | 4V |
Strom - Spitzenpuls (8 / 20μs) | - |
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) | 80A |
Aktuell - Halten (Ih) | 150mA |
Anzahl der Elemente | 1 |
Kapazität | 95pF |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
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Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
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