Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NJVMJD31CG

ON Semiconductor NJVMJD31CG

Artikelnummer
NJVMJD31CG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN 100V 3A DPAK-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer NJVMJD31CG
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Leistung max 1.56W
Frequenz - Übergang 3MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK
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