Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NJVMJD2955T4G

ON Semiconductor NJVMJD2955T4G

Artikelnummer
NJVMJD2955T4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP 60V 10A DPAK-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer NJVMJD2955T4G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 10A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Leistung max 1.75W
Frequenz - Übergang 2MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK-3
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