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| Artikelnummer | NHPD660T4G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 6A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3V @ 6A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 30ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 30µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
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