Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln NGTB15N60EG

ON Semiconductor NGTB15N60EG

Artikelnummer
NGTB15N60EG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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    0.44888/pcs
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Gesamt:0.78000/pcs Unit Price:
0.78000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer NGTB15N60EG
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 15A
Leistung max 117W
Energie wechseln 900µJ (on), 300µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 78ns/130ns
Testbedingung 400V, 15A, 22 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 270ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220
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