Artikelnummer | MSD602-RT1G |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
Leistung max | 200mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | SC-59 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.5A SC59
Auf Lager: 45000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
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