Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung MMUN2112LT1G

ON Semiconductor MMUN2112LT1G

Artikelnummer
MMUN2112LT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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    0.00546/pcs
Gesamt:0.01205/pcs Unit Price:
0.01205/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer MMUN2112LT1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 22k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 22k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 246mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
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