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| Artikelnummer | MMFT960T1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 65pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.7 Ohm @ 1A, 10V |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller: Yageo
Beschreibung: RES SMD 100K OHM 0.1% 1/4W MELF
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Hersteller: Yageo
Beschreibung: RES SMD 100 OHM 0.1% 1/4W MELF
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Hersteller: Yageo
Beschreibung: RES SMD 120 OHM 0.1% 1/4W MELF
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Hersteller: Yageo
Beschreibung: RES SMD 150 OHM 0.1% 1/4W MELF
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Hersteller: Yageo
Beschreibung: RES SMD 180 OHM 0.1% 1/4W MELF
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