Artikelnummer | MBR40250TG |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Schottky |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 40A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 970mV @ 40A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 30µA @ 250V |
Kapazität @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 20V 400A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 20V 400A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER
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