| Artikelnummer | IMD10AMT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 13k, 130 |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 285mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | SC-74R |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Auf Lager: 6000