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| Artikelnummer | EFC6602R-TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 6-EFCP (2.7x1.81) |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH EFCP
Auf Lager: 5000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH EFCP
Auf Lager: 5000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH EFCP
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH EFCP
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH EFCP
Auf Lager: 2160000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH EFCP
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA
Auf Lager: 230000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP
Auf Lager: 0
