Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung DTA115TM3T5G

ON Semiconductor DTA115TM3T5G

Artikelnummer
DTA115TM3T5G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 0.26W SOT723
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
ArtikelnummerDTA115TM3T5G
TeilstatusActive
Transistor-TypPNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)100k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung max260mW
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallSOT-723
LieferantengerätepaketSOT-723
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