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| Artikelnummer | 3LP01C-TB-E |
|---|---|
| Teilstatus | Last Time Buy |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.43nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7.5pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.4 Ohm @ 50mA, 4V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-CP |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 100MA CP
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 100MA CP
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A
Auf Lager: 24000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP
Auf Lager: 3000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP
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