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| Artikelnummer | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Stromabfluss (Id) - Max | 10mA |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | 200 Ohm |
| Leistung max | 200mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | 3-CP |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: JFET NCH 30V 200MW 3CP
Auf Lager: 3000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Auf Lager: 12000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: JFET N-CH 30V 0.2W CP
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH
Auf Lager: 0
