Artikelnummer | 2SC5415AE-TD-E |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 6.7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 9dB |
Leistung max | 800mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-243AA |
Lieferantengerätepaket | PCP |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN BIPO 0.1A 12V
Auf Lager: 577000
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: TRANS NPN 300V 0.07A MT-2
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS NPN 450V 8A TO220NIS
Auf Lager: 0