Artikelnummer | 2SC3649S-TD-E |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 1.5A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 160V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Leistung max | 500mW |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-243AA |
Lieferantengerätepaket | PCP |
Hersteller: Renesas Electronics America
Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.15A
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN 100V 1A
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN 100V 1A SOT89-3
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN 100V 1A
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN 100V 1A SOT89-3
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN 100V 2A SOT89-3
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN 100V 2A SOT89-3
Auf Lager: 2000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A SOT89-3
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A SOT89-3
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