Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2N6426G

ON Semiconductor 2N6426G

Artikelnummer
2N6426G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer2N6426G
TeilstatusObsolete
Transistor-TypNPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 500µA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce30000 @ 100mA, 5V
Leistung max625mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3
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