Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2N6045G

ON Semiconductor 2N6045G

Artikelnummer
2N6045G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Gesamt:0.38500/pcsUnit Price:
0.38500/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer2N6045G
TeilstatusActive
Transistor-TypNPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)8A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic2V @ 12mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 3A, 4V
Leistung max75W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB
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