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| Artikelnummer | 2N5460G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | 40V |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1mA @ 15V |
| Stromabfluss (Id) - Max | - |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 750mV @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung max | 350mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 135°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: THYRISTOR SCR 0.8A 30V TO-92
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: THYRISTOR SCR 0.8A 30V TO-92
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Beschreibung: THYRISTOR SCR 0.8A 30V TO-92
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