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| Artikelnummer | PMT200EN,135 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 80V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 800mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.4A SC-73
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: PMT280ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
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