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| Artikelnummer | PMBFJ112,215 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | 40V |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
| Stromabfluss (Id) - Max | - |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 5V @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Widerstand - RDS (Ein) | 50 Ohm |
| Leistung max | 300mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 (TO-236AB) |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Auf Lager: 12000
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Auf Lager: 3000
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Auf Lager: 12000
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Auf Lager: 9000
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Auf Lager: 12000
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Auf Lager: 9000
