Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung PDTC143XE,115

NXP USA Inc. PDTC143XE,115

Artikelnummer
PDTC143XE,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Produktparameter
Artikelnummer PDTC143XE,115
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-75, SOT-416
Lieferantengerätepaket SC-75
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