Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung PDTA114EE,115

NXP USA Inc. PDTA114EE,115

Artikelnummer
PDTA114EE,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Produktparameter
Artikelnummer PDTA114EE,115
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 180MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-75, SOT-416
Lieferantengerätepaket SC-75
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