Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PBSS4140V,115

NXP USA Inc. PBSS4140V,115

Artikelnummer
PBSS4140V,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
TRANS NPN 40V 1A SOT666
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Produktparameter
Artikelnummer PBSS4140V,115
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 440mV @ 200mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 5V
Leistung max 500mW
Frequenz - Übergang 150MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket SOT-666
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