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| Artikelnummer | PBRN123ES,126 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 800mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 40V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 2.2k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 2.2k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 280 @ 300mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 700mW |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Auf Lager: 0
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Auf Lager: 3000
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
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