Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung PBLS4002V,115

NXP USA Inc. PBLS4002V,115

Artikelnummer
PBLS4002V,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Produktparameter
Artikelnummer PBLS4002V,115
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V, 40V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 4.7k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Frequenz - Übergang 300MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket SOT-666
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