Artikelnummer | PSMN9R5-100BS,118 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 89A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4454pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 211W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 15A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D2PAK |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Auf Lager: 1500
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Auf Lager: 4800
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO220AB
Auf Lager: 5216
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK
Auf Lager: 10500
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Auf Lager: 12000