Artikelnummer | PSMN2R1-60CSJ |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | - |
Technologie | - |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | - |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | - |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Lieferantengerätepaket | - |
Paket / Fall | - |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V LFPAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V TO220AB
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