Artikelnummer | PMXB56EN |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 209pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.2A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DFN1010D-3 |
Paket / Fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G
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